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MHSM18-M20NA-Y3L2霍爾接近開關技術參數(shù)
  • 發(fā)布日期:2023-06-16      瀏覽次數(shù):1314
    • MHSM18-M20NA-Y3L2霍爾接近開關技術參數(shù)

      1、電感式接近開關工作原理

      電感式接近開關屬于一種有開關量輸出的位置傳感器,它由LC高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個能產(chǎn)生電磁場的振蕩感應頭時,使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個渦流反作用于接近開關,使接近開關振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識別出有無金屬物體接近,進而控制開關的通或斷。這種接近開關所能檢測的物體必須是金屬物體。工作流程方框圖及接線圖如下所示:

      2、電容式接近開關工作原理

      電容式接近開關亦屬于一種具有開關量輸出的位置傳感器,它的測量頭通常是構(gòu)成電容器的一個極板,而另一個極板是物體的本身,當物體移向接近開關時,物體和接近開關的介電常數(shù)發(fā)生變化,使得和測量頭相連的電路狀態(tài)也隨之發(fā)生變化,由此便可控制開關的接通和關斷。這種接近開關的檢測物體,并不限于金屬導體,也可以是絕緣的液體或粉狀物體,在檢測較低介電常數(shù)ε的物體時,可以順時針調(diào)節(jié)多圈電位器(位于開關后部)來增加感應靈敏度,一般調(diào)節(jié)電位器使電容式的接近開關在0.7-0.8Sn的位置動作。

      3、霍爾式接近開關工作原理

      當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會產(chǎn)生電位差,這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U,

      其表達式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數(shù),I為薄片中通過的電流

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